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氧化鎂摻雜對各種陶瓷性能的影響

點擊數:1372023-12-11 09:08:03 來源:

新聞摘要:包覆劑氧化鎂能有效阻礙晶粒長大,從而獲得晶粒均勻的陶瓷,此細晶效應是由于晶界區氧化鎂的阻礙作用;氧化鎂有助于形成殼一芯結構晶粒,降低并展寬BaTiO3基陶瓷的峰,增加電阻率和擊穿電壓強度。

  摻雜對氧化鋅線性陶瓷的影響
  工業制造中的氧化鋅線性陶瓷電阻具有電阻率變化范圍大,通流密度大,非線性系數低,電阻溫度系數小的優點,廣泛應用于電力-電子、交通、通信及家用電器等方面。但傳統的氧化鋅復合陶瓷仍存在許多問題,如結構均勻性差、工業生產重復率低、穩定性差、理論研究不充分等。
  研究了氧化鎂摻雜對氧化鋅線性陶瓷電阻非線性系數、電阻率以及阻溫系數的影響,結果表明:氧化鎂的添加有助于改善氧化鋅陶瓷電阻的阻溫系數,適量的氧化鎂可促進燒結,提高陶瓷的致密度,但過量添加反而會使陶瓷致密度下降。
  利用固相燒結法制備出基礎配方為ZnO?Al2O3?氧化鎂?Fe2O3?TiO2?SiO2的氧化鋅線性陶瓷電阻。研究了氧化鎂摻雜量對氧化鋅線性陶瓷電阻微觀結構、阻抗、阻溫特性和阻頻特性的影響。實驗也得出了在氧化鋅線性陶瓷電阻中,適量的摻雜氧化鎂可以有效提高樣品的電阻率和阻溫系數的結論。
  氧化鎂對鐵電陶瓷的影響
  1、氧化鎂對鈦酸鍶鋇陶瓷的結構和性能的影響
  鈦酸鍶鋇(BST)鐵電陶瓷材料以它的高可調性和低介電損耗在作為相控陣中的移相器和微波頻率下的可調器件有非常好的應用前景。
  由于目前的各種鐵電材料均存在某些方面的不足,通過各種手段提高其綜合性能,成為鈦酸鍶鋇材料實現大規模應用需要解決的關鍵問題。
  除了用稀土元素離子進行A位摻雜取代,氧化鎂、MgTiO3、Mg2SiO4等化合物加入到BST陶瓷和薄膜中也可以降低其介電常數和介電損耗。
  2、氧化鎂對BaTiO3基陶瓷性能的影響
  采用均勻沉淀法將氧化鎂均勻地包覆在BaTiO3基陶瓷粉體表面,制備包覆氧化鎂的BaTiO3基陶瓷復合粒子,研究了不同包覆量對BaTiO3基陶瓷的微觀結構、微觀形貌、介電性能、絕緣性能和擊穿電壓的影響。

  實驗表明:包覆劑氧化(hua)(hua)鎂(mei)能有效(xiao)阻礙晶(jing)(jing)粒(li)長(chang)大,從(cong)而獲(huo)得晶(jing)(jing)粒(li)均勻的陶瓷,此細晶(jing)(jing)效(xiao)應是由(you)于晶(jing)(jing)界區(qu)氧化(hua)(hua)鎂(mei)的阻礙作用(yong);氧化(hua)(hua)鎂(mei)有助于形成殼(ke)一芯(xin)結構晶(jing)(jing)粒(li),降低并展寬BaTiO3基陶瓷的峰,增加(jia)電阻率和擊(ji)穿電壓強度(du)。

氧化鎂

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